半导体材料板块，国内外技术差距与突破点-新东方前途出国

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    半导体材料板块，国内外技术差距与突破点

    • 原创
    发布者：
    陈佳林
    分类：
    留学新闻
    2026-06-22
    22
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    国内外技术差距与突破点

    1. 高端领域依赖进口
      • EUV光刻胶、12英寸硅片（<5nm节点）仍被日美垄断。
    2. 国产替代进展
      • 沪硅产业的12英寸硅片、安集科技的抛光液已进入国际供应链。
    3. 新兴材料布局
      • 碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）：天岳先进（SiC衬底）、三安光电（GaN外延片）。

    三、全球竞争格局

    • 日本：主导光刻胶、硅片（信越、SUMCO占全球60%份额）。
    • 美国：电子特气（空气化工）、EDA工具（Synopsys）。
    • 中国：靶材（江丰）、抛光液（安集）局部突破，全产业链加速替代。

    四、投资与政策驱动

    • 国内政策：大基金二期重点支持材料（如南大光电、雅克科技）。
    • 国际动态：美国《芯片法案》限制高端材料对华出口（如ASML光刻机配套化学品）。
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          • 美国：电子特气（空气化工）、EDA工具（Synopsys）。
          • 中国：靶材（江丰）、抛光液（安集）局部突破，全产业链加速替代。

          四、投资与政策驱动

          • 国内政策：大基金二期重点支持材料（如南大光电、雅克科技）。
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