非易失性存储(Non-Volatile Memory)
-
NAND Flash(闪存)
- 用于SSD、U盘、手机存储等。
- 主要企业:
- 三星(Samsung)
- 铠侠(Kioxia,原东芝存储,日本)
- 西部数据(WD,美国,与铠侠合作)
- 美光(Micron)
- 英特尔(Intel,现NAND业务出售给SK海力士)
- 长江存储(YMTC,中国)
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NOR Flash
- 用于代码存储(如物联网设备、汽车电子)。
- 主要企业:
- 华邦电子(Winbond,中国台湾)
- 兆易创新(GigaDevice,中国)
- 旺宏电子(Macronix,中国台湾)
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EEPROM/ROM
- 小容量数据存储(如家电、传感器)。
- 主要企业:
- 意法半导体(STMicroelectronics,欧洲)
- 微芯科技(Microchip,美国)
3. 新兴存储技术
- 3D XPoint(英特尔与美光联合开发,已逐步退出市场)
- MRAM(磁性存储器):
- 企业:Everspin(美国)、台积电(TSMC)等。
- ReRAM/PCM:
- 仍处于研发或小规模应用阶段。
市场格局
- 韩国(三星、SK海力士)主导DRAM和NAND市场。
- 中国(长江存储、长鑫存储)正在加速国产化替代。
- 美国/日本在细分领域(如NOR Flash、EEPROM)有较强竞争力。
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