名古屋大学创立于1939年，是日本旧帝国大学之一。创校当年，学校即设立了电气学科。此后，该学科逐步发展为电气电子信息工学科（本科）以及电气工学专攻、电子工学专攻、信息·通信工学专攻（大学院），覆盖能源、器件、电子、计算机、通信等与电气相关的广泛领域。在电子电气工程领域，名古屋大学以其在半导体材料与器件研究方面的积累，成为日本该领域的核心院校之一。
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一、电子电气工程学科的历史沿革
名古屋大学的电子电气工程教育始于1939年电气学科的设立。1958年，学校设置了电子工学科。此后，随着学科的发展与重组，电气学科、电子工学科、电子情报学科、情报工学科等逐步整合为电气电子·情报工学科。目前，工学部设有电气电子情报工学科，大学院工学研究科则设有电气工学专攻、电子工学专攻、情报·通信工学专攻。这一发展历程体现了学校在电子电气领域持续拓展的办学方向。
二、电子电气相关专攻的专业构成
名古屋大学工学研究科在电子电气领域设有三个专攻方向：
电气工学专攻：研究内容涵盖等离子体能源工学、电力设备与能源传输工学、能源系统工学、电力电子、功能与能源材料工学等方向。该专攻还涉及全固态电池的电化学分析与劣化行为评价。
电子工学专攻：聚焦半导体工程与集成科学、先进器件、量子光电子、纳米电子材料与器件等领域。研究团队在等离子体电子学、等离子体纳米工艺科学、生命电子学、智能器件等方向开展研究。该专攻致力于培养在能源、信息通信技术及医疗等领域能够贡献于新功能器件、超低功耗器件及纳米工艺技术开发的技术人才。
情报·通信工学专攻：涵盖视觉信息、信息网络、无线系统、通信理论、计算机架构、智能系统等研究方向。
三、半导体材料研究的重点领域
名古屋大学在半导体材料研究方面形成了多个具有特色的研究方向：
宽禁带半导体材料：须田研究室以氮化镓（GaN）宽禁带半导体材料为核心，开展面向节能社会（GX）和数字化社会（DX）的研究开发。研究范围从半导体中原子尺度缺陷及半导体/绝缘体界面电子特性的基础研究，到功率器件和高频器件的设计、制作与特性评价。该研究室与旭化成下一代器件合作研究部门合作，基于氮化铝（AlN）单晶衬底上的AlN/GaN/AlN量子阱结构，开发高电子迁移率晶体管（HEMT）。相关成果于2025年12月在半导体器件领域重要的国际会议IEDM上发表。
氧化镓（Ga₂O₃）晶体生长技术：名古屋大学低温等离子体科学研究中心的堀胜特任教授等研究团队，开发出了一种可在硅基板上生长下一代功率半导体材料“氧化镓”晶体的技术。该技术仅使用镓和氧气作为原料，避免了杂质混入，通过改进常规蒸镀设备即可实现生产，有望降低氧化镓功率半导体的制造成本。研究团队正通过名古屋大学孵化的初创企业NU-Rei推进该技术的产业化。此外，名古屋大学此前已提出利用NiO扩散层实现氧化镓p型控制的技术。
氧化铪（HfO₂）原子层刻蚀：名古屋大学低温等离子体科学研究中心的萧世男特任教授、堀胜特任教授等研究团队，与台湾明志科技大学合作，通过不使用卤素的等离子体工艺，在室温条件下实现了HfO₂的各向异性原子层刻蚀。HfO₂是尖端半导体器件中铁电存储器及栅极绝缘膜的重要材料，此前因挥发性低、结合能高而被视作难刻蚀材料。该成果被评价为新一代半导体器件制造技术发展中的重要进展。
碳化硅（SiC）晶圆制造：名古屋大学与Oxide Power Crystal、产业技术综合研究所（AIST）、MIPOX等组成的研究团队，开发出新型SiC晶圆制造技术，已试作出p型6吋晶圆以及n型6吋与8吋晶圆。
氮化铝（AlN）系超宽禁带半导体：未来材料系统研究所（IMaSS）在AlN系超宽禁带半导体领域开展研究，在pn结理想特性等方面取得了进展。
四、相关研究机构与平台
名古屋大学在电子电气与半导体材料领域设有多个专门研究机构：
低温等离子体科学研究中心（cLPS） ：该中心在半导体制造工艺的等离子体应用方面开展研究。研究涉及等离子体-表面相互作用，涵盖半导体工艺中等离子体对液体和生物体的影响。中心的堀胜特任教授曾获得Kenichiro Ishii Award。
未来材料系统研究所（IMaSS） ：该研究所致力于从材料和器件开发到系统技术的研究，下设未来电子集成研究中心（CIRFE）、先进测量技术中心（AMTC）等机构。研究课题涵盖GaN等下一代半导体器件、先进纳米材料与节能材料等。
五、产业合作与就业路径
名古屋大学在电子电气与半导体领域与多家企业建立了合作关系：
与丰田的合作：名古屋大学与丰田合作开设嵌入式系统课程，聚焦半导体在汽车领域的应用。名古屋大学与丰田被称为日本“产学协同”的典范，在技术研发、人才培养等领域有着深度合作。
与旭化成的合作：在氮化铝基氮化镓高电子迁移率晶体管开发方面，名古屋大学与旭化成建立了合作关系。
毕业生就业去向：名古屋大学的毕业生主要就职于丰田汽车、电装（Denso）等总部设在名古屋或与丰田相关的公司。此外，三菱电机等企业的就业人数也较多。名古屋大学被列为电子电气与半导体工程专业的推荐院校之一，相关领域代表企业包括索尼、铠侠等。
六、留学申请相关信息
对于有意申请的中国留学生，以下信息可供参考：
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学历要求：申请者需完成16年正规教育，即本科毕业或即将毕业。
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语言要求：理工科申请者通常需达到JLPT N2级别。英语方面，建议提供托福成绩，80分以上为基本门槛，建议以90分以上为目标。
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申请材料：一般包括研究计划书、大学成绩单、毕业证与学位证、学历认证报告、推荐信、日语或英语能力证明等。
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入学考试：修士入学考试时，电气工学、电子工学、情报通信工学三个专攻同时进行选拔，笔试内容相同。学校设有留学生特别入试制度。
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具体招生要求：各专业的具体申请条件、截止日期及材料要求，建议以学校官网最新公布的信息为准。
名古屋大学自1939年设立电气学科以来，在电子电气工程与半导体材料领域积累了数十年的教学与研究经验。从氮化镓、氧化镓到碳化硅，从基础材料研究到器件开发，学校在多个半导体材料方向形成了研究体系。低温等离子体科学研究中心与未来材料系统研究所等研究平台，为相关研究提供了支撑。学校与丰田、旭化成等企业的合作关系，也为毕业生提供了从学术研究到产业应用的衔接路径。如需了解更多申请流程与专业选择信息，欢迎咨询新东方留学顾问团队。
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